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文檔簡介
1、隨著超大規(guī)模集成技術(shù)的發(fā)展,芯片尺寸的日益縮小,銅作為連接材料的優(yōu)越性日益顯現(xiàn)。由于銅的反應(yīng)生成物不具有揮發(fā)性,刻蝕很難實(shí)現(xiàn)。只有先在硅片上作好雙大馬士革結(jié)構(gòu),然后填入銅來實(shí)現(xiàn)銅互連。本文研究無中間層雙大馬士革中FSG刻蝕技術(shù)。由于沒有額外的中間層,其總體的介電系數(shù)降低,有效地減少互連延遲的問題,優(yōu)化器件的性能?？涛g過程被細(xì)分為四步實(shí)施:VIA通孔刻蝕,BARC刻蝕,Trench溝槽刻蝕和Nitride阻擋層刻蝕(Nitride Rem
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