抗軟錯誤TCAM設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、三態(tài)可按內容尋址存儲器（TCAM）是一種特殊的存儲器，它不僅可以像傳統(tǒng)存儲器一樣讀、寫，還可以進行高速的數據搜索，因而被廣泛地用作CPU里的Cache、TLB和路由器里的IP地址前綴查找表等。然而隨著越來越多的電子器件被應用到輻射環(huán)境和集成電路制造工藝尺寸的減小，TCAM越來越容易發(fā)生軟錯誤。因此研究TCAM的抗軟錯誤加固技術具有重要的現實意義。
　　鑒于TCAM不能像其它常規(guī)存儲器一樣直接用ECC電路來提高抗軟錯誤能力，本文采用

2、了一種針對TCAM的抗軟錯誤加固結構。加固后的TCAM主要由加固前的TCAM、嵌入式DRAM和ECC電路組成，利用嵌入式DRAM周期性刷新的特性不斷對TCAM相應存儲陣列中的數據進行重寫或糾錯，從而實現對TCAM的抗軟錯誤加固。
　　本文首先設計了一個規(guī)模為64×144bits的常規(guī)TCAM、一個規(guī)模為64×152bits的嵌入式DRAM和相應的漢明碼編、解碼電路，并用仿真工具Nanosim分別對它們進行了仿真優(yōu)化。然后根據本文所

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