基于ECC電路的軟錯誤修復(fù)和測試診斷NBTI錯誤方法研究.pdf

1、隨著器件工藝尺寸的不斷減小，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random Access Memory，SRAM）中相鄰的存儲單元之間的距離變得越來越近，對空間和地面中的質(zhì)子、中子、τ粒子以及宇宙射線等電離輻射更加敏感。由一次電離輻射事件造成的單粒子翻轉(zhuǎn)（Single Event Upset，SEU）和多位錯誤翻轉(zhuǎn)（Multiple Bit Upset，MBU）都明顯增加。存儲器抗輻射翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為SRAM加固中的研究熱點(diǎn)。
　　同

2、時，由于CMOS超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，器件等比例縮小、柵介質(zhì)層厚度的不斷減小，負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性（Negative Bias Temperature Instability，NBTI）效應(yīng)對PMOS器件和電路的可靠性的影響變得越來越顯著，成為影響器件及電路壽命不可忽略的因素之一。
　　本文在深入研究存儲器存儲單元單節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)和多位翻轉(zhuǎn)以及NBTI效應(yīng)對器件老化的影響的基礎(chǔ)上，從電路級和系統(tǒng)級加固方法的角度出發(fā)，利用一步大數(shù)邏輯譯碼