半導體氧化物二氧化錫和氧化鎳的水熱合成及其表征.pdf

1、本論文豐富和發(fā)展了水熱合成制備技術，采用水熱法合成了SnO<,2>納米棒和空心微球，并對他們的氣敏性能進行了初步研究。采用前驅體的分解路線制備了NiO三維結構材料。 1.豐富和發(fā)展了水熱制備技術。通過簡單的水熱方法，用SnCl<,2>做起始反應物，H<,2>O<,2>作為氧化劑，200℃水熱處理30小時，制備了直徑在10-15 nm長度在50-70 nm范圍內的SnO<,2>納米棒，加入一定量的(CH<,2>)<,6>N<,4>

2、，我們得到了SnO<,2>空心微米球。簡單討論了反應溫度、NaOH/SnCl<,2>的摩爾比例對SnO<,2>納米棒形成的影響。氣敏性測試表明我們所制備的SnO<,2>材料對于醇類氣體具有一定的敏感性，可能在氣體傳感器方面具有潛在的應用價值。 2.采用前驅體分解的路線制備了NiO三維組裝結構。我們采用水熱法制備了鎳基前驅物，討論了反應溫度、DL-蘋果酸和N<,2>H<,4>的用量對前驅體形貌的影響。我們所制備的組裝結構的前驅體通