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1、本文介紹了半導(dǎo)體氣敏元件在國內(nèi)外的發(fā)展?fàn)顩r，綜述了金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏元件的摻雜技術(shù)。 列舉了半導(dǎo)體氣敏元件的摻雜以及摻雜對氣敏元件靈敏度和選擇性的影響作用。 用直流磁控濺射法分別在Si 及陶瓷管上制備摻有ZnO 和CuO 的SnO2 納米薄膜，并用馬弗爐對前者進(jìn)行500℃、800℃的退火處理，對后者進(jìn)行500℃、700℃的退火處理。 摻有ZnO 的SnO2 納米薄膜，其未退火的樣品，經(jīng)過500℃退火的樣品和80
2、0℃退火的樣品在工作電壓較低時(shí)（4.5～6V）對乙醇表現(xiàn)出不同的靈敏度，當(dāng)加熱電壓繼續(xù)升高，未退火的樣品對乙醇呈現(xiàn)的靈敏度降低；同時(shí)，在加熱溫度較低時(shí)（4.5～6V），各樣品對丙酮也具有不同的敏感特性，但在較高的測試溫度下（6V 以上），經(jīng)過500℃退火樣品對丙酮的靈敏度急劇增大，幾乎接近100。一般希望加熱電壓越低越好，因此選擇樣品在800℃下退火可以獲得最佳效果。 利用氣敏測試系統(tǒng)對摻有CuO 的SnO2 各樣品進(jìn)行氣敏特性
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