直流磁控濺射法制備SnO-,2-薄膜及其氣敏特性研究.pdf

1、本文介紹了半導體氣敏元件在國內外的發(fā)展狀況，綜述了金屬氧化物半導體氣敏元件的摻雜技術。 列舉了半導體氣敏元件的摻雜以及摻雜對氣敏元件靈敏度和選擇性的影響作用。 用直流磁控濺射法分別在Si 及陶瓷管上制備摻有ZnO 和CuO 的SnO2 納米薄膜，并用馬弗爐對前者進行500℃、800℃的退火處理，對后者進行500℃、700℃的退火處理。 摻有ZnO 的SnO2 納米薄膜，其未退火的樣品，經(jīng)過500℃退火的樣品和80

2、0℃退火的樣品在工作電壓較低時（4.5～6V）對乙醇表現(xiàn)出不同的靈敏度，當加熱電壓繼續(xù)升高，未退火的樣品對乙醇呈現(xiàn)的靈敏度降低；同時，在加熱溫度較低時（4.5～6V），各樣品對丙酮也具有不同的敏感特性，但在較高的測試溫度下（6V 以上），經(jīng)過500℃退火樣品對丙酮的靈敏度急劇增大，幾乎接近100。一般希望加熱電壓越低越好，因此選擇樣品在800℃下退火可以獲得最佳效果。 利用氣敏測試系統(tǒng)對摻有CuO 的SnO2 各樣品進行氣敏特性