相變光盤記錄介質(zhì)材料的研究.pdf

1、本文研究了一種新的相變記錄材料—GaSbBi。對靶材的組織與性能，薄膜的結(jié)構(gòu)、結(jié)晶動力學(xué)及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行系統(tǒng)的測試分析。 采用冷等靜壓+熱等靜壓工藝制備GaSbBi靶材。該系列靶材為GaSb+(Sb，Ⅸ)共晶組織，具有很好的致密度，具有合適的熔點(diǎn)溫度。同時，隨著Ⅸ含量的增加，物質(zhì)的晶格參數(shù)變大，熔點(diǎn)降低。 薄膜的X衍射分析表明，結(jié)晶態(tài)薄膜隨著Bi含量的增加，Sb相的晶格參數(shù)c值增大。對不同退火溫度的Gal2Sb79．2Bi

2、s．s薄膜的XRD分析表明，退火溫度的改變對晶粒大小和結(jié)晶度有較大的影響，350'C退火晶粒平均尺寸最大，400℃退火則結(jié)晶度最好。 對薄膜的DSC測試分析表明，隨著Bi的含量的增加，結(jié)晶溫度下降，通過Kissinger方法計(jì)算得到晶化激活能。在摻雜成分范圍內(nèi)，晶化激活能隨著Ⅸ的含量的增加而降低，從而提高非晶薄膜的晶化速率，但晶化活化能均大于2.0ev，因此依舊滿足穩(wěn)定性要求。 薄膜的分光光度計(jì)測試表明，Gal2Sb-／

3、9．2Bis．8的性能滿足光學(xué)性能要求，結(jié)晶態(tài)薄膜的吸光度高于非晶態(tài)的吸光度，可以降低物質(zhì)在讀取信息的變形，襯比度最小為28．78﹪滿足光學(xué)性能反射率的要求。GaxeSba8和Gal2Sb83.6Bi4.4讀取信息的時候有可能會造成信息的丟失。通過對Gal2Sbs8、Gal2Sb83.613i4.4和Gal2Sb?9．2Bi8．8三種薄膜的對比分析，得到了隨著Bi含量的增加，透射率增加，吸光度減小，光學(xué)禁帶寬度相差很小，Gal2Sb83