垂直磁記錄介質(zhì)材料的研究.pdf

1、進入21世紀,信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為支柱產(chǎn)業(yè)之一,信息量的爆炸式增長要求信息存儲密度迅速提高。目前的主流存儲方式包括磁記錄技術(shù),光存儲以及閃存儲。作為主要的信息存儲方式之一,磁記錄受到廣泛關(guān)注。磁記錄技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了從縱向到垂直磁記錄的轉(zhuǎn)變,其中磁化強度分別平行和垂直于介質(zhì)平面。為了克服超順磁瓶頸,必須研發(fā)新的垂直磁性薄膜。圍繞垂直磁記錄介質(zhì),本論文開展了Llo相FePt薄膜和TbFeCo薄膜的制備和物性研究。除此之外,嘗試將已有的垂直磁性薄

2、膜應(yīng)用到磁光晶體。具體地說,論文主要包含三個內(nèi)容:
　　 第一,我們通過傾斜濺射生長NiO緩沖層的方式優(yōu)化FePt薄膜的(001)織構(gòu)和垂直各向異性。相對于垂直濺射生長的NiO緩沖層,傾斜濺射生長NiO緩沖層表現(xiàn)出優(yōu)良的(200)擇優(yōu)取向。為了同時降低有序化溫度,在NiO和Pt之間插入Ag層。結(jié)果發(fā)現(xiàn)Ag有利于增強FePt薄膜有序度和(001)織構(gòu)。另外,我們的研究表明,結(jié)構(gòu)與磁各向異性嚴格的依賴于薄膜厚度,FePt的成分變化以

3、及生長溫度。
　　 第二,為了能夠降低介質(zhì)噪音同時保持高的垂直各向異性,我們用磁控濺射方法制備了TbFeCo和TbFeCo-SiO2薄膜。當(dāng)薄膜厚度小于75nm,TbFeCo-SiO2薄膜相比TbFeCo薄膜有更大的矯頑力和垂直各向異性。而當(dāng)薄膜厚度大于75nm,正好相反。這些現(xiàn)象可以歸結(jié)為TbFeCo晶粒擇優(yōu)取向的增強。對于這一系列的樣品,磁化翻轉(zhuǎn)方式包含了疇壁運動和一致翻轉(zhuǎn)。在這些樣品中,弱的疇壁釘扎是不能被忽略的。