氣壓浸滲法制備Al-SiCp電子封裝材料的研究.pdf

1、鋁滲碳化硅復(fù)合材料具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高模量、低密度等優(yōu)異的綜合性能，在電子封裝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。氣壓浸滲法利用氣壓實現(xiàn)浸滲，是一種低成本制備方法。但是目前對影響此工藝過程的因素和材料的凝固組織都缺乏深入研究。 本文通過浸滲熱力學(xué)理論的毛細(xì)管原理計算了浸滲臨界壓力。單尺寸顆粒的尺寸以及雙尺寸顆粒中小顆粒的密集程度對臨界壓力影響很大。另外預(yù)制型預(yù)熱溫度也對臨界壓力有較大影響，在溫度從700C增加到800℃過程中臨界壓力隨著溫

2、度上升而明顯下降。 高體積分?jǐn)?shù)增強體的加入導(dǎo)致了基體合金組織的改變，初生α-Al枝晶大大減少，基體主要由Al-Si共晶組成。單尺寸顆粒的尺寸決定了共晶硅的大小和形態(tài)。隨著加入的SiC顆粒尺寸的減小，硅相由原來的粗長條狀變成細(xì)小的點狀且分布更加彌散。在研究中還發(fā)現(xiàn)，SiC顆?？梢宰鳛楣簿Ч璁愘|(zhì)生核的襯底。雙尺寸顆粒與單尺寸小顆粒對共晶硅的影響類似，但其對共晶相的細(xì)化作用較后者略小。 本文還研究了SiC顆粒在高溫下的氧化過程