對(duì)晶圓鈷淀積預(yù)處理中光阻吸附問題的研究.pdf

1、在對(duì)現(xiàn)行所有不同線寬形成鈷的工藝中,都會(huì)在鈷淀積前做氧化層的去除以保證在后續(xù)的鈷淀積能順利完成,從而形成良好的CoSi2。但是在用氫氟酸去除氧化層的同時(shí)經(jīng)常會(huì)受到外來缺陷(光阻吸附)的影響。外來缺陷(光阻吸附)的污染直接后果是造成后續(xù)的鈷淀積不上,而鈷淀積不上形不成良好的硅化鈷是引發(fā)良率損失的主要原因,良率損失達(dá)到5％～10％。因此研究解決在氧化層去除時(shí)產(chǎn)生的缺陷問題,對(duì)于提高晶圓的良率具有很高的理論和應(yīng)用價(jià)值。本文以實(shí)驗(yàn)為基礎(chǔ),通過實(shí)

2、踐與理論相結(jié)合,對(duì)光阻吸附缺陷的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),形成機(jī)理,去除方法進(jìn)行了深入的探討與研究。
　　 本文針對(duì)在半導(dǎo)體制造過程中對(duì)光阻吸附(Photoresistre-deposition)缺陷(Defect)的在線檢測(cè)問題提出在光學(xué)顯微鏡下判別PRre-depdefect的方法,介紹了PRre-depdefect在電子顯微鏡下結(jié)構(gòu)以及組成成分特點(diǎn)。設(shè)計(jì)了復(fù)制PRre-depdefect的實(shí)驗(yàn),并根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果提出在半導(dǎo)體制造過程中PRre

3、-depdefect形成的三個(gè)必要因素:a.光阻殘留物;b大劑量和高能量離子注入;c加工晶圓數(shù)量。本文對(duì)PRre-depdefect的形成機(jī)理進(jìn)行了推論,提出光阻吸附原理:大量的光阻殘留物經(jīng)過產(chǎn)品帶入濕法蝕刻HF槽內(nèi),HF槽的過濾器過濾不了太大量的光阻,經(jīng)過高能量、大劑量離子注入的晶圓在進(jìn)入HF槽作鈷淀積前的氧化層去除是吸附了光阻殘留物,這就形成了PRre-depdefect。
　　 本文根據(jù)實(shí)際出發(fā),提出了對(duì)晶圓鈷淀積預(yù)處理中

4、光阻吸附問題的解決方案,即在產(chǎn)品進(jìn)入HF槽做氧化層去除前用旋轉(zhuǎn)濕法清洗先去除一部分缺陷,然后在氧化層去除之后增加SC1濕法清洗保證晶圓表面的清潔。本文通過掃描電子顯微鏡確認(rèn)晶圓表面缺陷數(shù)量,以及通過晶圓可接受性測(cè)試和良率測(cè)試來確認(rèn)了這種方法的有效性及安全性。
　　 通過本文的工作,從根本上解決了對(duì)鈷淀積前PRre-depdefect這一工藝缺陷的檢測(cè),去除的問題,避免了晶圓鈷淀積預(yù)處理中光阻吸附問題造成的損失(每片約5％～10％