半導(dǎo)體光刻中晶圓缺陷問題的研究.pdf

1、在摩爾定律的指引下，半導(dǎo)體工業(yè)每?jī)芍寥昃涂缟弦粋€(gè)新的臺(tái)階。大量資金投入，工程技術(shù)人員的使用高于工業(yè)界平均比例，這些導(dǎo)致了半導(dǎo)體生產(chǎn)高昂的分?jǐn)偝杀?加上激烈競(jìng)爭(zhēng)使得產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑，驅(qū)使大部分芯片生產(chǎn)廠運(yùn)行在一個(gè)大規(guī)模量產(chǎn)，高良品率的水平上。維持及提高良品率對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)至關(guān)重要，無論對(duì)于哪種工藝技術(shù)，高水平的工藝良品率是生產(chǎn)性能可靠的芯片并獲得收益的關(guān)鍵所在。
　　抑制良品率的重要方面是有缺陷的晶圓一般是無法修復(fù)的。在某些情況下沒

2、有滿足性能要求的晶圓被降級(jí)處理做低端應(yīng)用。廢棄的晶圓可以發(fā)揮余熱，被用作某些制程工藝的控制晶圓或假片，這些缺陷主要來源于晶圓生產(chǎn)區(qū)域涉及到的不同的液體、氣體、潔凈室空氣、人員、工藝、設(shè)備和水。微粒和其它細(xì)小的污染物寄留在晶圓內(nèi)部或表面，晶圓表面受到了污染或產(chǎn)生不規(guī)則的孤立區(qū)域。很多缺陷是在光刻時(shí)造成的，研究并解決光刻晶圓缺陷問題，對(duì)提高芯片良品率意義重大[1]。
　　本文首先對(duì)微電子技術(shù)，集成電路，半導(dǎo)體制造基本流程進(jìn)行了簡(jiǎn)單的概