摻雜As2S8的光致折射率制備條波導(dǎo)的研究.pdf

1、硫系非晶態(tài)半導(dǎo)體作為一種長波長非線性光學(xué)介質(zhì)被用來制備紅外透鏡、紅外生化傳感器、C02激光傳輸光纖、高速光開關(guān)、功率限制器、光克爾效應(yīng)斬波器和光學(xué)非線性環(huán)鏡等。硫族非晶態(tài)半導(dǎo)體在光的作用下,能產(chǎn)生許多光致效應(yīng),其中光阻斷效應(yīng)是該類材料的諸多特性中一個(gè)頗有特點(diǎn)的現(xiàn)象。唯有在As2S8波導(dǎo)上可以看到的光—光效應(yīng)的光阻斷試驗(yàn),其原理是利用了次能級(jí)電子躍遷過程對(duì)信號(hào)光的吸收,向次能級(jí)抽運(yùn)電子的工作由帶隙光激勵(lì)來完成。光阻斷效應(yīng)有ms量級(jí)的切斷響

2、應(yīng)和較慢的s量級(jí)恢復(fù)響應(yīng)過程。為改善恢復(fù)響應(yīng),試驗(yàn)了在As2S8中低濃度摻Sn的實(shí)驗(yàn),使光阻斷的恢復(fù)響應(yīng)提升到了ms量級(jí)。本課題以摻錫As2S8為研究對(duì)象,通過實(shí)驗(yàn)分析了He-Cd光照時(shí)間、傳輸光光子數(shù)等外部因素對(duì)摻錫As2S8恢復(fù)響應(yīng)的影響,總結(jié)了實(shí)驗(yàn)規(guī)律,并提出了光阻斷恢復(fù)過程的數(shù)學(xué)模型。實(shí)驗(yàn)還考察了摻錫As2S8非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜的光折變效應(yīng)及其膜厚變化的現(xiàn)象,歸納了沉積態(tài)樣品、退火態(tài)樣品和光飽和態(tài)樣品的實(shí)驗(yàn)規(guī)律,給出了光譜測(cè)試數(shù)據(jù)