摻雜As2S8的光致折射率制備條波導的研究.pdf

1、硫系非晶態(tài)半導體作為一種長波長非線性光學介質(zhì)被用來制備紅外透鏡、紅外生化傳感器、C02激光傳輸光纖、高速光開關(guān)、功率限制器、光克爾效應斬波器和光學非線性環(huán)鏡等。硫族非晶態(tài)半導體在光的作用下,能產(chǎn)生許多光致效應,其中光阻斷效應是該類材料的諸多特性中一個頗有特點的現(xiàn)象。唯有在As2S8波導上可以看到的光—光效應的光阻斷試驗,其原理是利用了次能級電子躍遷過程對信號光的吸收,向次能級抽運電子的工作由帶隙光激勵來完成。光阻斷效應有ms量級的切斷響

2、應和較慢的s量級恢復響應過程。為改善恢復響應,試驗了在As2S8中低濃度摻Sn的實驗,使光阻斷的恢復響應提升到了ms量級。本課題以摻錫As2S8為研究對象,通過實驗分析了He-Cd光照時間、傳輸光光子數(shù)等外部因素對摻錫As2S8恢復響應的影響,總結(jié)了實驗規(guī)律,并提出了光阻斷恢復過程的數(shù)學模型。實驗還考察了摻錫As2S8非晶態(tài)半導體薄膜的光折變效應及其膜厚變化的現(xiàn)象,歸納了沉積態(tài)樣品、退火態(tài)樣品和光飽和態(tài)樣品的實驗規(guī)律,給出了光譜測試數(shù)據(jù)