硒化鉛薄膜和量子點(diǎn)的制備與表征.pdf

1、硒化鉛是一種窄禁帶寬度的Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體化合物，在紅外探測領(lǐng)域有著廣泛用途。由硒化鉛薄膜制備的紅外探測器具有質(zhì)量高，靈敏度高等特點(diǎn)。硒化鉛量子點(diǎn)具有很多特殊性能，有望拓寬硒化鉛的應(yīng)用領(lǐng)域。本文利用氣溶膠輔助化學(xué)氣相沉積(AACVD)法制備硒化鉛薄膜，利用膠體法制備硒化鉛量子點(diǎn)，并對得到的產(chǎn)物進(jìn)行了表征分析。主要內(nèi)容如下： ⑴制備并表征了硒化鉛薄膜。以乙酰丙酮鉛和硒化三辛基膦作為前驅(qū)體，以乙酰丙酮作為溶劑，使用AACVD法在300-

2、500℃沉積溫度下沉積90 min制得黑褐色薄膜。選擇氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)和輸運(yùn)氣體，氮?dú)饬髁慷?20ml/min。XRD分析表明，此薄膜為硒化鉛多晶薄膜，具有立方晶體結(jié)構(gòu)；SEM分析表明，在350-500℃沉積溫度下，能夠得到納米結(jié)構(gòu)組成的薄膜，其中400℃時薄膜由納米塔狀結(jié)構(gòu)組成，而500℃時薄膜中出現(xiàn)橫向尺寸更小的納米棒；XRF分析表明，制得的硒化鉛薄膜中鉛與硒的元素摩爾比隨沉積溫度的上升逐漸降低，趨向于1；薄膜厚度隨著溫度變化很大，3

3、00℃時薄膜的厚度僅為53nm，而500℃時薄膜厚度達(dá)到了4020nm；在20-200℃溫度范圍內(nèi)，薄膜的電阻率隨著溫度的上升而增加。紅外光譜顯示，在2.5-25的波長范圍內(nèi)，此薄膜對紅外光具有兩種機(jī)理的吸收過程。 ⑵制備并表征了硒化鉛量子點(diǎn)。以乙酰丙酮鉛和硒化三辛基膦作為前驅(qū)體，以油酸作為包裹劑，以油酸或者油酸與二苯醚的混合溶液作為溶劑，在160-210℃溫度下，反應(yīng)10-30min，制得硒化鉛量子點(diǎn)。XRD分析顯示，產(chǎn)物為具