水溶性CdSe和CdTe量子點的制備及其薄膜的沉積.pdf

1、量子點又稱為半導體納米晶體,是由Ⅱ～Ⅵ族和Ⅲ～Ⅴ族元素組成的、粒徑在1～10 nm之間,由少量原子組成的納米粒子。量子點外觀類似點狀物,結構對稱,內部電子在各個方向上受到限制,因此其量子限域效應特別顯著,這種效應使得量子點具有獨特的光、電、熱和力學等性質,在光伏電池、在發(fā)光二極管、生物醫(yī)學等方面都有廣闊的發(fā)展前景。由于量子點質量的高低制約著它的應用研究,因此人們一直在探索制備高質量量子點的方法。
　　目前量子點的合成比較成熟的方法

2、主要有無機合成路線和有機合成路線兩種。有機法合成的量子點具有良好的單分散性,量子產率高,結晶度好。但該方法制備條件苛刻,藥品昂貴且毒性大,成本高且產物難溶于水;而在水相中制備的量子點則量子產率較低。
　　本論文采用水相合成法,通過改變制約量子點性質的一些條件,在水相中制備了量子產率較高的水溶性CdSe和CdTe量子點,并采用逐層自組裝技術（layer-by-layer self-assembled films,LBL）和電泳沉積法

3、（electrophoretic deposition,ED）,制備了幾種量子點的雜化薄膜和梯度薄膜。
　　本論文工作主要包括:1.本論文用巰基乙酸、巰基丙二醇和L-半胱氨酸作為穩(wěn)定劑,在水相中制備了不同粒徑大小的CdSe和CdTe量子點,研究了反應時間、反應溫度、反應體系的pH值、穩(wěn)定劑的種類及反應物的摩爾配比等條件對量子點的影響,結合紫外可見光譜和熒光光譜等測試手段,研究影響量子點質量的一些因素,及其制備條件與光學性能之間的一

4、些關系,并根據(jù)最優(yōu)化條件,得到最高量子產率分別為55％和30%的CdTe和CdSe量子點。2.通過優(yōu)化實驗條件,制備出多種顏色不同、粒徑大小不同、發(fā)射波長可調的量子點,并對量子點的上轉換光譜（upconversion luminescence）進行了初步研究。在所制備的量子點中,發(fā)現(xiàn)在100℃條件下水相制備的量子點,在中性偏堿性條件下,初始反應物中硒或碲的含量較低（配比Cd:Te/Se=1:0.25）時能夠得到質量較好的量子點。制備的量

5、子點的上轉換熒光強度隨著激發(fā)波長的變化而不斷變化。3.用所制備的量子點,采用逐層自組裝技術制備了ZiO2、CdSe和CdTe的多層自組裝雜化薄膜。利用靜電吸引作用在預處理好的基片上交替沉積表面帶正負電荷的TiO2和CdSe、CdTe的疊層膜和非疊層膜,并對這些薄膜的光學性質進行了研究。用此法制備的薄膜表面,粒子排布緊密平整,所構成的type-Ⅱ型半導體材料發(fā)生電子空穴分離,量子點的熒光發(fā)射強度減小。4.利用電泳沉積法制備了CdSe、Cd

6、Te的均勻薄膜和水平梯度薄膜,利用紫外-可見光譜、原子力顯微鏡和掃描電鏡對均勻薄膜和梯度薄膜進行表征。
　　研究表明,在制備CdSe和CdTe的均勻薄膜過程中,CdSe和CdTe的特征吸光度隨著沉積時間而線性增長,因此可以通過控制沉積時間來調節(jié)均勻薄膜的厚度;而梯度薄膜厚度不但與沉積時間有關,還與兩工作電極間距離和所加電壓有關,吸光度隨著膜的厚度呈明顯的梯度變化。AFM和SEM結果表明,得到的薄膜表面緊密均勻。電泳沉積法制備薄膜為