新型半導(dǎo)體薄膜的慢正電子研究.pdf

1、慢正電子湮沒(méi)技術(shù)由于具有研究原子尺度的缺陷結(jié)構(gòu)和樣品結(jié)構(gòu)隨縱向深度變化的能力，且不會(huì)對(duì)樣品結(jié)構(gòu)造成破壞，在單層或多層薄膜型半導(dǎo)體材料的研究中有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。在本文中，該技術(shù)作為主要實(shí)驗(yàn)手段研究了Co摻雜ZnO薄膜和AlGaN/GaN等現(xiàn)階段兩種新型寬禁帶半導(dǎo)體單層膜和多層膜結(jié)構(gòu)。 1.Co摻雜ZnO薄膜的研究運(yùn)用慢正電子束方法研究了Co摻雜ZnO薄膜結(jié)構(gòu)及其隨生長(zhǎng)溫度的變化趨勢(shì)。發(fā)現(xiàn)Co摻雜ZnO膜中的Zn空位仍然是主要的正電子湮沒(méi)

2、中心和缺陷類(lèi)型；結(jié)合XRD實(shí)驗(yàn)結(jié)果，發(fā)現(xiàn)Co離子占據(jù)了ZnO晶格中的Zn位，并使薄膜內(nèi)部的空位濃度降低；通過(guò)不同溫度下制備的摻雜和不摻雜樣品的比較，發(fā)現(xiàn)PLD生長(zhǎng)的Co摻雜ZnO薄膜不同于ZnO，結(jié)晶質(zhì)量在溫度較低時(shí)(400℃)已經(jīng)達(dá)到較高的水平。 2.AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究慢正電子束測(cè)量得到的S-E曲線(xiàn)所指示的界面位置與真實(shí)界面位置出現(xiàn)了一定偏移。Raman散射實(shí)驗(yàn)的結(jié)果也表明，在30nm和80nmAlGaN層厚的樣