幾種低發(fā)射率紅外隱身材料的研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著軍用光電技術的迅速發(fā)展,空中的軍事目標面臨著日趨嚴重的光電威脅與紅外威脅。各種先進的光電偵察設備和光電制導的空空、地空導彈,都能以其高精度使現(xiàn)代化的飛機難以逃脫,現(xiàn)代軍事技術已經(jīng)達到了“目標只要被發(fā)現(xiàn),就能被摧毀”的水平。因此,要提高軍事目標的生存能力,就要降低被探測和發(fā)現(xiàn)的概率,紅外隱身防護材料即是其中一種。
  本課題針對國內外紅外隱身材料的研究現(xiàn)狀,對現(xiàn)有的紅外隱身材料進行了分析。根據(jù)紅外隱身機理,采用化學鍍技術和材料表

2、面包覆技術,分別制備了兩種類型的低發(fā)射率紅外隱身材料——鋇鐵氧體表面化學鍍改性材料和紅外透明材料包覆鋁粉復合材料,并分別對其制備工藝進行了優(yōu)化,研究了各工藝參數(shù)對材料紅外發(fā)射率的影響。
  鋇鐵氧體化學鍍的工藝優(yōu)化過程中,研究了主鹽濃度、還原劑濃度、絡合劑濃度、pH值、反應溫度等工藝參數(shù)對樣品紅外發(fā)射率的影響,結果表明鍍Ni-P的最佳工藝條件為:裝載量4g/L,硫酸鎳30g/L,次亞磷酸鈉20g/L,檸檬酸鈉70g/L,硫酸銨50

3、g/L,反應溫度85℃,pH值為10.0;鍍Ni-Co-P的最優(yōu)工藝條件為:裝載量4g/L,硫酸鎳鈷30g/L,硫酸鎳鈷的質量比為1:1,次亞磷酸鈉20g/L,檸檬酸鈉70g/L,硫酸銨50g/L,反應溫度85℃,pH值為10.0。采用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射儀(XRD)等現(xiàn)代分析測試手段對樣品的表面形貌及物相結構進行了表征。利用傅立葉變換紅外光譜儀的漫反射系統(tǒng)測試了材料的紅外發(fā)射率,發(fā)現(xiàn)化學鍍Ni-P后材料在8~14μm的

4、紅外發(fā)射率由原來的0.8915降低到了0.5910,鍍Ni-Co-P不但使鋇鐵氧體的紅外發(fā)射率降低到了0.5854,而且鈷離子的加入改善了鍍層的磁性能,提高了材料的雷達吸波能力。
  本文采用均勻沉淀法,以尿素為沉淀劑,制備紅外透明材料包覆鋁粉復合粒子,首先在鋁粉表面包覆一層Ni2CO3(OH)2前驅物,然后放入馬弗爐中煅燒450℃×1h,即制得NiO/Al復合粒子。另以硫代乙酰胺為沉淀劑,制備了ZnS/Al復合粒子。分別研究了不

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