射頻功率LDMOSFET中的熱累積效應(yīng)研究.pdf

1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文射頻功率LDMOSFET中的熱累積效應(yīng)研究姓名：任振申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：電磁場(chǎng)與微波技術(shù)指導(dǎo)教師：尹文言20090101上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要第II頁(yè)件進(jìn)行研究。本文將運(yùn)用理論研究的方法分析LDMOSFET在電磁脈沖影響下的熱效應(yīng)。通過(guò)有限元方法對(duì)典型LDMOSFET進(jìn)行瞬態(tài)電熱建模仿真，獲得電磁脈沖影響下LDMOSFET器件的熱效應(yīng)，以分析不同參數(shù)電磁脈沖對(duì)器件的干擾和損傷程度。本文的主要研究?jī)?nèi)容如下

2、：第二章將分析LDMOSFET的基本結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)。對(duì)典型的LDMOSFET進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)建模。第三章將介紹半導(dǎo)體器件二維仿真的理論基礎(chǔ)，包括器件參數(shù)和模型建立所需的基本方程和邊界條件；建立二維穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)模型下半導(dǎo)體器件所滿足的剛性、耦合、非線性偏微分方程組，并對(duì)邊界條件及參數(shù)的確定進(jìn)行討論。第四章將介紹利用時(shí)域有限元方法進(jìn)行器件數(shù)值模擬的步驟，建立基于時(shí)域有限元方法的二維穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)的半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬矩陣，然后運(yùn)用FTRAN語(yǔ)言對(duì)方程組進(jìn)行