基于Flat_Cell存儲結(jié)構(gòu)的8位MCU設(shè)計.pdf

1、隨著科技的不斷發(fā)展，集成電路行業(yè)已經(jīng)在逐步的發(fā)展壯大，市場對各種電路的需求與日俱增，其中MCU（Micro Controller Unit）電路更是因為自身技術(shù)的升級，以及為應(yīng)用帶來更加方便和簡單高效的功能實現(xiàn)得到市場的認可。8位MCU的設(shè)計目前已經(jīng)很成熟，雖然在不久的將來32位MCU市場無疑將超過8位MCU，但8位MCU仍具有強大的生命力。一方面，它們已經(jīng)把自己重塑成可綜合內(nèi)核，另一方面，設(shè)計者也繼續(xù)探索在新應(yīng)用中使用它們的途徑。它們

2、能否繼續(xù)生存取決于設(shè)計者能否迅速把8位MCU嵌入到其最新設(shè)計中。 芯片是基于Flat_Cell存儲結(jié)構(gòu)的8位MCU電路，在總體設(shè)計方案確定之后，從技術(shù)指標(biāo)出發(fā)，對電路進行功能模塊劃分，再對各個功能模塊進行設(shè)計。在只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）設(shè)計的時候，提出了一種新的結(jié)構(gòu)：Flat_Cell存儲結(jié)構(gòu)，由于Flat_Cell單元陣列設(shè)計在有源區(qū)上，是一種平面結(jié)構(gòu)，單元間是靠PN結(jié)隔離，不存在場氧化層。這樣就

3、不會因為場區(qū)熱氧化雜質(zhì)再分布而使溝道寬度減小，同時不會出現(xiàn)鳥嘴，也不會產(chǎn)生窄溝效應(yīng)，因此使單元面積大大減小，集成密度更高，性能可靠，制造成本低。Flat_Cell技術(shù)的提出與應(yīng)用使得ROM的技術(shù)指標(biāo)得到了很大提高。輸入/輸出電路中靜電放電（Electrostatic Discharge，ESD）保護結(jié)構(gòu)采用MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管結(jié)構(gòu)，并進行了ESD測試，經(jīng)測試該結(jié)構(gòu)可以抵抗2000V以上的ESD打