碳化硅陶瓷研拋過程中電摩擦特性的研究.pdf

1、碳化硅(SiliconCarbide)陶瓷具有高耐磨耐腐蝕性、高脆性和低斷裂韌性的特點(diǎn)，傳統(tǒng)的超精密加工方法難以達(dá)到高精度表面質(zhì)量要求。摩擦電化學(xué)研拋(Tribo-ElectrochemicalPolishing，TECP)是一種對(duì)陶瓷等難加工材料實(shí)現(xiàn)表面光滑無損傷加工的新技術(shù)。TECP使用金屬基研具和不含游離磨料的研拋液，通過摩擦微峰的化學(xué)溶解機(jī)理拋光表面；通過電極在金屬研具/陶瓷研拋系統(tǒng)中施加適當(dāng)電場(chǎng)，使研具表面及研拋陶瓷表面的摩擦

2、化學(xué)過程經(jīng)受可控電場(chǎng)的影響。并通過控制在金屬研具和試件間的電壓，來影響材料表面的研拋過程。
　　本文針對(duì)碳化硅陶瓷材料的特點(diǎn)，在自行研制的數(shù)控圓平動(dòng)研磨試驗(yàn)機(jī)上，研究了碳化硅陶瓷研拋過程中的電摩擦特性，首先對(duì)數(shù)控圓平動(dòng)研磨試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行了模態(tài)分析和結(jié)構(gòu)改進(jìn)；其次分別考察碳化硅/灰鑄鐵(HT200)和碳化硅/金剛石砂輪配副在不同載荷、電壓、速度等條件下的電摩擦特性，獲得了不同條件下的摩擦系數(shù)的變化規(guī)律；并研究分析了外加電場(chǎng)作用下碳化硅陶