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1、碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料。SiC材料具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率及抗輻照能力強(qiáng)等一系列優(yōu)點(diǎn)，特別適用制作高壓、高溫、高功率、耐輻照等半導(dǎo)體器件，使得其在國民經(jīng)濟(jì)和軍事等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，已經(jīng)引起了電子材料和微電子技術(shù)領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。但由于SiC是一種間接帶隙半導(dǎo)體材料，其在光學(xué)方面上的應(yīng)用
2、受到了很大限制。 本論文針對(duì)此問題，根據(jù)陽極氧化鋁模板(AAO)具有制備方法簡(jiǎn)單、成本低、孔洞分布均勻和有序等特點(diǎn)，利用陽極電化學(xué)法在常溫和低溫下制備出了孔洞有序的通孔和非通孔的多孔氧化鋁模板，同時(shí)以AAO為模板，用射頻濺射法制備了低維SiC納米材料。主要開展了以下工作： 1、研究了AAO的基本性質(zhì)和制備條件對(duì)模板有序性的影響。 2、系統(tǒng)地研究了AAO模板的發(fā)光機(jī)理。用Ar離子對(duì)AAO模板進(jìn)行了處理，首先發(fā)現(xiàn)了表
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