硼擴散片制備技術研究.pdf

1、本文主要開展了三個方面的研究：硼雜質擴散的分布規(guī)律研究、硼擴散濃度和深度的控制技術研究和硼擴散片幾何參數(shù)的控制技術研究。
　　 首先對硼雜質擴散的分布規(guī)律進行了研究。在理想狀況下，恒定表面源擴散分布為余誤差函數(shù)分布，表面濃度始終保持不變，與時間無關，只與擴散的雜質種類和擴散的溫度有關；硼的限定表面源擴散為高斯分布。
　　 其次對硼擴散濃度和擴散深度的控制技術進行了研究。硼擴散片的擴散層為高濃度擴散層，要求擴散層濃度不小于

2、5×1019/cm3，擴散層深度不小于30μm。因此，需要采用兩步擴散工藝，即預擴散和再分布。本文通過采用兩步擴散步驟、預擴散采用雙面擴散的方式、再分布采用采用密閉碳化硅管、控制擴散溫度和擴散時間，有效地控制了擴散層濃度和結深。
　　 最后對硼擴散片幾何參數(shù)的控制技術進行了研究。實驗發(fā)現(xiàn)單面擴散比雙面擴散的彎曲度大，晶錠加工之前的熱處理工藝有助于彎曲度的改善。在單面減薄后對硅片進行堿處理工藝，進一步改善了擴散片的彎曲度。對擴散片