基于SiP技術(shù)的X波段T-R組件封裝技術(shù)研究.pdf

1、T/R組件是有源相控陣?yán)走_(dá)的核心，其性能直接影響有源相控陣?yán)走_(dá)整機(jī)的性能。隨著基于移動(dòng)武器平臺(tái)的現(xiàn)代雷達(dá)技術(shù)不斷發(fā)展和雷達(dá)系統(tǒng)的目標(biāo)環(huán)境和電磁環(huán)境日益復(fù)雜化，對(duì)具有高性能、高可靠性、小型化、低成本的T/R組件需求越來(lái)越迫切，特別是電磁兼容、抗干擾性能良好的有源相控陣?yán)走_(dá)更是現(xiàn)代雷達(dá)技術(shù)發(fā)展的主流方向。SiP(system in package)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的出現(xiàn)能極大地滿足現(xiàn)代雷達(dá)技術(shù)發(fā)展要求，能夠很大程度上促進(jìn) T/R組件的小型化、

2、高集成度及高可靠性的快速發(fā)展。
　　本文重點(diǎn)對(duì)基于SiP技術(shù)的X波段T/R組件封裝技術(shù)進(jìn)行研究，完成了組件的封裝方案設(shè)計(jì)、電磁兼容性設(shè)計(jì)和T/R組件封裝測(cè)試。
　　首先確定了組件的封裝方案：整體尺寸為41mm×41mm×12mm，主要采用金屬銅作為封裝腔體材料（表面鍍金處理），整個(gè)封裝為自定義24引腳封裝（21個(gè)控制端口和3個(gè)微波信號(hào)端口）?？紤]到該小型化T/R組件在狹小空間內(nèi)集成了多個(gè)MMIC芯片和其他無(wú)源器件，系統(tǒng)電路很

3、容易產(chǎn)生諧振，出現(xiàn)自激信號(hào)，本論文針對(duì)性地提出電磁兼容性設(shè)計(jì)方案，運(yùn)用金屬隔墻對(duì)電路中的射頻元器件進(jìn)行空間隔離，避免元器件之間發(fā)生空間互擾。為了減小電路中傳輸線的不連續(xù)性帶來(lái)的空間電磁干擾，對(duì)組件中的金絲鍵合互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)分析，尋找最佳的鍵合方式，提高系統(tǒng)整體穩(wěn)定性。
　　然后運(yùn)用三維電磁仿真軟件HFSS建立發(fā)射支路、接收支路、總體電路的三種封裝腔體模型，進(jìn)行本征模式仿真分析，提取各封裝腔體諧振點(diǎn)，將出現(xiàn)在工作頻帶內(nèi)的諧振點(diǎn)消除