解決系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品中出現(xiàn)的錫橋接.pdf

1、系統(tǒng)級(jí)封裝 (System in Package---SiP)是指：一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件(或無源元件)集成在一個(gè)工業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體封裝內(nèi)。按照這個(gè)涵義比較廣泛的定義，SiP又可以進(jìn)一步按照技術(shù)類型劃分為四種工藝技術(shù)明顯不同的種類：芯片層疊型，模組型<'[4]>，MCM(Multi-ChipModule)型和三維(3D)封裝型。 對(duì)于某公司(由于內(nèi)容牽涉到客戶資料，本文不便透露公司名字，后文均以A公司替代)的某一產(chǎn)品其采用SiP封

2、裝形式，在該產(chǎn)品的量產(chǎn)初期，該公司的SMT(Surface MOLIntTectlnology---表面貼片技術(shù))客戶端就反饋說該產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)有部分的功能失效的現(xiàn)象，其主要是電源一地之間的短接，且其失效比例在1％左右。通過對(duì)失效產(chǎn)品的分析(采用截面分析和能量彌散X射線探測(cè)器)，發(fā)現(xiàn)在電容底下有一薄層的錫存在(其厚度大約為5微米厚)，該錫層導(dǎo)致電容兩端的金屬端橋接，從而導(dǎo)致產(chǎn)品電性失效。 通過對(duì)失效產(chǎn)品和正常產(chǎn)品中的電容兩端的錫量的對(duì)

3、比，我們發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)錫橋接的產(chǎn)品中的電容兩端的錫量比較多，因此初步斷定造成錫橋接的原因是錫量的富裕，并通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和回歸分析的方法，找出了比較適合的錫量，并通過對(duì)工藝材料、工藝參數(shù)和制具設(shè)計(jì)的改善，減少甚至解決了錫橋接現(xiàn)象的出現(xiàn)，同時(shí)也對(duì)SMT階段的回流焊條件提出了更高的要求。 本文共分三部分，第一部分為原因查找及缺陷分析，包括問題的描述、缺陷分析、錫量分析、設(shè)計(jì)改變和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證：第二部分為實(shí)驗(yàn)結(jié)果，包括結(jié)果的追蹤、標(biāo)準(zhǔn)化過程和一些遺