基于六西格瑪?shù)碾娮臃庋b內(nèi)電容橋接問(wèn)題研究.pdf

1、消費(fèi)電子包括手機(jī),平板電腦等移動(dòng)設(shè)備在近幾年得到爆發(fā)式增長(zhǎng)，這導(dǎo)致消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)電子封裝的需求越來(lái)越大。為了滿(mǎn)足更多需求，需要不斷開(kāi)發(fā)各種高級(jí)封裝產(chǎn)品。并且隨著硅片拋光的技術(shù)更加成熟，目前已經(jīng)能夠封裝相比過(guò)去多幾倍的芯片數(shù)量。因此需要采用更多高性能的芯片并且盡可能地封裝更多的芯片來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的需求,這導(dǎo)致了電子封裝成本越來(lái)越高并且對(duì)電子封裝的可靠性提出更加高的挑戰(zhàn)。在增加電子封裝的芯片數(shù)量和提高性能的同時(shí)，克服任何此類(lèi)電子封裝內(nèi)的失效問(wèn)題

2、就成為了質(zhì)量管理中的首要任務(wù)。
　　本文首要介紹了電子封裝的現(xiàn)狀和流程，包括發(fā)生問(wèn)題的電容功能和電子封裝組成。此失效是重復(fù)發(fā)生但是具有極低不良率，使用一般分析方法無(wú)法確認(rèn)任何流程是否存在異常。為了確認(rèn)問(wèn)題發(fā)生的失效模式通過(guò)失效分析包括電性分析、切片分析和元素分析等手段，確認(rèn)是在回流爐條件下導(dǎo)致電容兩端焊錫橋接引起的短路不良。采用了基于六西格瑪?shù)姆治龇椒▉?lái)研究這種極低不良率問(wèn)題。首先通過(guò)測(cè)量系統(tǒng)分析，材料分析方法來(lái)確認(rèn)生產(chǎn)過(guò)程和封裝

3、材料參數(shù)是否存在異常。再根據(jù)魚(yú)骨圖分析法推測(cè)焊錫量為重要的影響因子，然后通過(guò)抽樣對(duì)比不同批次封裝內(nèi)電容焊錫切片來(lái)比較焊錫尺寸確認(rèn)推測(cè)：不良批次焊錫高度要比沒(méi)有不良的批次要高出很多。通過(guò)有限元軟件模擬焊錫應(yīng)力分布發(fā)現(xiàn)不同焊錫形狀也會(huì)促使電容發(fā)生焊錫橋接。進(jìn)行全因子試驗(yàn)分析來(lái)比較不同焊錫條件下產(chǎn)生不良的數(shù)量，最終確認(rèn)電容焊錫量偏大是導(dǎo)致這次不良產(chǎn)生的主要原因。改善措施和控制措施也圍繞減少焊錫量和改善焊錫形成形狀來(lái)進(jìn)行。最后加強(qiáng)廠(chǎng)內(nèi)在線(xiàn)質(zhì)量檢