超薄柵氧化層的TDDB特性與壽命評估.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著超大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展，超薄柵氧化層的質(zhì)量對器件和電路可靠性的作用越來越重要。經(jīng)時絕緣擊穿（TDDB）是評價薄柵氧化層質(zhì)量的重要方法。本文介紹了氧化硅結(jié)構(gòu)及其作為柵氧化層的擊穿機理和幾種主要TDDB擊穿模型，重點介紹了其中的1/E模型。論述了薄柵氧化層TDDB可靠性表征方法及其相關(guān)參數(shù)。采用恒定電壓法，對同一種工藝條件，溝道長為90nm，柵氧化層厚度為1．4nm的NMOSFET施加五種電壓應(yīng)力，測試其相應(yīng)的擊穿時間。比較了相同器

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