VO-,2-薄膜的原位生長及其光學(xué)性能的研究.pdf

1、二氧化釩是一種具有相變特性的功能材料，隨著溫度的變化，二氧化釩在68 ℃左右發(fā)生低溫半導(dǎo)體相到高溫金屬相的可逆相變，同時，其電阻率和透射率等物理性質(zhì)也發(fā)生突變。由于其特殊性質(zhì)，在很多領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價值，如紅外焦平面陣列的熱敏電阻、光電開關(guān)與光存儲材料的應(yīng)用等。
　　 但還有一些研究者發(fā)現(xiàn)，二氧化釩的相變不只是能由溫度變化引起，還可以由外加電場或光照引起。二氧化釩為純電子型Mott—Hubbard 相變材料，研究表明，相變發(fā)生

2、時材料內(nèi)的臨界電子濃度為10 18 —10 19 cm-3。當(dāng)材料內(nèi)的電子濃度低于這一臨界值時，材料顯示為半導(dǎo)體或絕緣體特性；當(dāng)高于這一臨界值時，材料則顯示為金屬特性。
　　 本文主要研究了反應(yīng)直流磁控濺射制備二氧化釩薄膜的工藝方法，在硅襯底上原位制備出具有可逆相變特性的二氧化釩薄膜。分析了各個控制參數(shù)對薄膜質(zhì)量的影響，并給出了工藝參數(shù)。磁控濺射中O2和Ar的分壓比和濺射時襯底的溫度是影響薄膜中相的組分和質(zhì)量的最關(guān)鍵因素。本文還