反應磁控濺射制備VO-,2-薄膜及表面特征研究.pdf

1、VO<,2>相變前后的光學開關特性可以應用在“智能窗”上，如何實現這一應用具有重要研究價值。本論文詳細討論了三種主要釩氧化物的一些重要特性，并結合反應磁控濺射的基本原理、反應過程及沉膜機理，設計了實驗方案，并制備了16個試樣。 制備的試樣經XPS、XRD、SEM、AFM的檢測分析，并應用ORIGINPro7.0軟件對V<,2p3／2>的分峰擬合得出：沉積速率在1.06～2.22A／s之間有利于生成四價的釩，當沉積速率≤0.43A

2、／s時，容易生成五氧化二釩；m（O<,2>）／m（Ar）比在1：12和1：13之間制備的薄膜，VO<,2>的面積百分比較高，且薄膜呈柱狀多晶結構，具有明顯VO<,2>的（221）晶向的擇優(yōu)取向生長特征；基片溫度在250℃時，VO<,2>的衍射峰最強，當基片溫度高于300℃，V<,2>O<,3>、VO<,2>、V<,2>O<,5>的比例趨于一致，晶粒取向趨向雜亂；450℃保持2h的真空退火處理可以明顯減少氧化釩薄膜的氧缺陷，有利于制取所需