基于ZnO、SiC的高性能紫外探測(cè)器的研究.pdf

1、寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料ZnO具有禁帶寬、激子能量大、高化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，使得目前高質(zhì)量ZnO材料和器件的制備成為國際上的研究熱點(diǎn)之一。ZnO在氣體傳感器、太陽能電池、紫外光電探測(cè)及激光器等許多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。由于ZnO薄膜生長技術(shù)的發(fā)展，目前可以制備性能優(yōu)良的n型ZnO薄膜； 同為寬帶隙半導(dǎo)體材料的SiC具有高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點(diǎn)，特別適合制作光電子、抗輻射、高頻、大功率、高溫

2、、高壓等方面的半導(dǎo)體器件。在一些要求較高的器件方面，SiC已經(jīng)取代傳統(tǒng)的Si已成為國際上新的研究熱點(diǎn)之一。 本文詳細(xì)介紹了ZnO、SiC的性質(zhì)、材料制備及器件方面的研究。介紹了兩者在紫外光電探測(cè)器件方面的應(yīng)用，著重分析了以n-ZnO和金屬Au作肖特基接觸，n-ZnO和同為寬禁帶半導(dǎo)體p-SiC形成異質(zhì)結(jié)，Ti、Ni、Ag合金作背底形成歐姆接觸，研制出的Au/n-ZnO/p-SiC結(jié)構(gòu)的紫外探測(cè)器。 測(cè)試分析了該器件的光譜