4H-SiC紫外光探測器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅是制作日盲紫外光探測器的理想材料。本文討論了光探測器的物理機理和性能參數，建立了4H-SiC PiN器件的物理模型，模擬了器件暗電流、器件面積以及不同溫度等因素對器件電流電壓特性的影響，模擬分析了碳化硅紫外探測器的光響應靈敏度和量子效率與波長的關系。論文得出了不同溫度下PiN器件的光電流和電壓的關系曲線，討論了器件100K-700K下的器件特性，結果表明器件在較高溫度時還具有比較一致的特性，證明了SiC雪崩光電二極管可以在高溫條件

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