SiC基的高性能紫外光電探測器.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、　本文詳細(xì)介紹了寬帶隙半導(dǎo)體SiC的性質(zhì)、材料制備及器件方面的研究。著重分析了以n-4H-SiC和金屬Au作肖特基接觸，Ti、Ni、Ag合金作背底形成歐姆接觸，研制出的Au/n-4H-SiC肖特基紫外探測器的優(yōu)良性能?！y試分析了器件在高溫高壓下的光譜響應(yīng)特性，響應(yīng)范圍在200nm～400nm之間，室溫?zé)o偏壓下，響應(yīng)峰值在320nm，響應(yīng)半寬82nm。在高反壓下(100V以上)探測器的光譜響應(yīng)曲線出現(xiàn)了銳上升和銳截止，在260nm-3

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