非線性器件模型的建立.pdf

1、GaN HEMT /SiC MESFET 是近年來發(fā)展起來的新一代寬禁帶半導(dǎo)體器件，開展GaN HEMT/SiC MESFET 器件測(cè)試、建模理論的工作，有助于指導(dǎo)該類器件的研究，降低研制成本，提高效率，加快研究進(jìn)展。 本文采用等效電路模型的方法，從器件內(nèi)部載流子輸運(yùn)機(jī)理的物理特性出發(fā)，對(duì)模型中關(guān)系比較復(fù)雜的重要擬合參數(shù)用精確的數(shù)學(xué)關(guān)系式表達(dá)，從理論角度分析其物理意義，在GaAs 的模型基礎(chǔ)上開發(fā)出GaN 和SiC 材料器件新的

2、非線性模型，結(jié)合各種儀器測(cè)試得到的數(shù)據(jù)，采用梯度、隨機(jī)、POWELL、混合等優(yōu)化算法，模擬與測(cè)量數(shù)據(jù)達(dá)到吻合，從而確定器件模型參數(shù)，測(cè)量數(shù)據(jù)主要是采用國(guó)內(nèi)比較先進(jìn)的儀器，對(duì)器件的高壓I-V 特性進(jìn)行多次測(cè)量，并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較和分析，確定出比較精確的數(shù)據(jù)結(jié)果。 建模軟件的模擬結(jié)果與ADS 等比較先進(jìn)的軟件進(jìn)行對(duì)比，結(jié)果符合比較好，目前，非線性模型已應(yīng)用到實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，指導(dǎo)器件的設(shè)計(jì)和制作。但模型還有很多缺點(diǎn)，需進(jìn)一步改進(jìn)，使其能