等離子體發(fā)射光譜及其在ZnO薄膜生長中的應用.pdf

1、本文通過發(fā)射光譜實驗，研究了一種以ICP的電源配給方式提供給天線，激發(fā)處在恒定磁場中的石英鐘罩內的氣體來形成等離子體，我們稱之為磁場增強ICP的新型等離子體源。得出磁場的引入降低了感應耦合等離子體向高密度模式轉變的功率閾值，提高了等離子體的密度和均勻性的可控性；通過對譜線相對強度的理論模擬和討論，分辨出與N2譜線重合的N+線和NI線，并估算了等離子體的解離率，得出等離子體的解離率和離化率是隨磁場的增強逐漸提高的。并根據(jù)平面天線，螺旋天線

2、，平面螺旋組合天線這三種不同類型的天線的比較，得出螺旋型的天線所激發(fā)的等離子體具有較強的密度，但穩(wěn)定性相對較差。 本文通過等離子體發(fā)射光譜在線監(jiān)測，研究了ZnO薄膜制備過程中的沉積溫度T、氧氣流量比例[O2/(O2+Ar)]對ZnO成膜空間中的Zn和O原子發(fā)射光譜的影響，得出脈沖放電條件下微量氧氣將導致濺射產額的顯著增加。當氧氣流量比例大于0.75﹪時，金屬Zn靶的濺射產額隨R的增加基本呈線性下降規(guī)律。當氧氣流量比例介于10﹪-