鈦系氧化物納米晶薄膜的制備及其光電性能研究.pdf

1、哈爾濱工程大學碩士學位論文鈦系氧化物納米晶薄膜的制備及其光電性能研究姓名：馬瑩申請學位級別：碩士專業(yè)：應用化學指導教師：李占雙20060615晗爾濱工程大學碩士學位論文■■■—■■——■———■—■■■■■——一I1■■●————■●—■—■■■■●———■—黼黼■■■__——瞄—黼黼■■—___■一在整個可見光區(qū)內對光均肖吸收。光電化學性能測試結果表明，當“的摻雜鱉x=06時，Pbl。Li；曩僥薄貘開路電囂薅這688mV，填充囂孑裹達

2、8。74，其光電性能比傳統(tǒng)的TiO：薄膜有大幅度鍵高。用溶膠一凝膠法制備了鈦酸鉛鑭摻雜體系的PbLa。Ti03薄膜，XRD測試表明，Pbl。LaxTiO，薄貘墨立方捐晶型，基疆著La3十燕子摻雜量豹增攘，形成穩(wěn)定鈣鈦礦晶體需要的僚燒溫度升高。其光電馥學後能隨摻雜比例的不同雨變化較大。當摻雜比例x=04和O8時，其開路電壓V。分別為360mV和376mV，高于摻雜比例x=02和06的PblxLaTi03薄膜。摻雜比例x=06的鶼xL瓠弧0