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文檔簡介
1、GdVO4晶體是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料,本文對其進行了研究,包括生長工藝、缺陷、稀土離子的摻雜、光譜分析以及相關(guān)計算。 論文對晶體提拉法生長的裝置、過程以及影響晶體生長的因素進行了詳細的分析,確定了合適的生長工藝參數(shù):轉(zhuǎn)速為20r/min左右;提拉速度為1~2mm/h。生長出了質(zhì)量良好的GdVO4、Pr:GdVO4和Yb:GdVO4,尤其Pr:GdVO4晶體的生長尚屬首次。 通過X射線粉末衍射實驗確定了晶體的晶胞參數(shù),結(jié)
2、果表明稀土離子的摻雜對晶體結(jié)構(gòu)的影響不大。采用侵蝕法對晶體進行了位錯分析試驗,對晶體宏觀和微觀缺陷進行了分析。 對Pr:GdVO4晶體的吸收光譜進行了測試,獲得了晶體的軸譜圖、σ譜圖和π譜圖。分別測試了在404nm、483nm、488nm和532nm光源激發(fā)下的熒光光譜,通過對吸收光譜和熒光光譜的分析,確定了晶體中Pr3+離子的能級,并根據(jù)Judd-Ofelt理論,首次計算了Pr3+離子在GdVO4晶體中的唯象參數(shù)Ωt(t=2,
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