用于射頻基帶處理ΣΔ調(diào)制器的設(shè)計與研究.pdf

1、ZA模數(shù)轉(zhuǎn)換器采用過采樣、噪聲整形以及數(shù)字濾波技術(shù)，降低了對元器件匹配精度的要求，能夠?qū)崿F(xiàn)傳統(tǒng)奈奎斯特率模數(shù)轉(zhuǎn)換器達不到的精度，是目前實現(xiàn)高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器的主流技術(shù)，在儀器儀表測量、數(shù)字音頻、ISDN、ADSL以及射頻接收機等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。 本論文系統(tǒng)地研究了EA調(diào)制器的各種體系結(jié)構(gòu)，根據(jù)功耗、穩(wěn)定性以及電路實現(xiàn)等方面綜合考慮，EA調(diào)制器采用級聯(lián)2—2結(jié)構(gòu)，過采樣比為32，并通過行為級仿真確定了積分器的增益衰減因子及級

2、間耦合系數(shù)。分析了實際電路的各項非理想因素以及噪聲特性對調(diào)制器性能的影響，并通過計入積分器的非理想特性對調(diào)制器傳輸函數(shù)的影響導(dǎo)出系統(tǒng)對各個模塊電路性能參數(shù)的要求。針對藍牙基帶處理，采用柵壓自舉的采樣開關(guān)、增益自舉運放組成的全差分開關(guān)電容電路實現(xiàn)14位EA調(diào)制器。同時使用不同的輸入、輸出共模電壓的方法來提高調(diào)制器的動態(tài)范圍。芯片采用中芯國際(SMIC)O．18um單層多晶、六層金屬、MIM電容的CMOS工藝實現(xiàn)，電源電壓1．8V，采樣時鐘