先進(jìn)DRAM技術(shù)中Rugged-poly附著性的改善方案.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)產(chǎn)品對電容器性能的要求越來越高。在縮小的動態(tài)隨機(jī)存儲器單元中，如何制作出電容足夠大且可靠性高的電容器，成為深亞微米集成電路工藝的重要課題。以及因采用粗糙多晶硅(Rugged-poly)來增大電容而產(chǎn)生的一系列問題得到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本論文工作以提高電容器的可靠性為目的，就如何改善皇冠狀電容的Rugged-po]y與平板電極之間的附著性進(jìn)行了深入研究。 文章提出了兩種改善

2、Rugged-p01y與平板電極之間附著性的方法。其一，優(yōu)化Rugged-p01y沉積的配方，在Rugged-p01y上原位(il'l-Situ)沉積一層非摻雜多晶硅薄膜，使Rugged—poly顆粒在后續(xù)清洗工藝中不易脫落。其二，在Rugged-poiy沉積前采用不同的化學(xué)試劑清洗，比較生長出的Rugged—poly晶粒質(zhì)量，包括其與平板電極之間的附著性。文中對實(shí)驗(yàn)所得的數(shù)據(jù)作了認(rèn)真分析和仔細(xì)比較，結(jié)合Rugged-p01y沉積原理，