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1、Y771127後旦大學(xué)學(xué)梭代碼;10246一學(xué)號(hào):T02201034碩士學(xué)位論文(專業(yè)學(xué)位)HDP薄膜均勻性改善方案院系(所):專業(yè):姓名:信息科學(xué)與工程學(xué)院電子與通信工程隋曉明指導(dǎo)教師:堂里煎堡堂壁塞塾援完成日期:2005年3月31日復(fù)旦大學(xué)工程碩士論文摘要AbstractT11cshrinkingdimensionsofsemiconductordrivesforceashiftintechnologyasgapwidthsforl
2、eadingedgechips,andthischallengetothecapabilityoftheIMDlayerInaddition,theclosenessofneighboringmetallinesdemandsthatthegapbefilled、^,imhighqualitydensedielectricTheHDP(HighDensityPlasma)technologyisdevelopedtomatchthere
3、quirementofthehi曲technologydeviceHDPhavebettergapfillcapabilitythanthetypicalPECVDtechnologytomeetsmallerfeatureswi也higheraspectratiequirementHDPhaveexcellentplanarizationafterintegratedwithCMPtomeetthemultiplemetallevel
4、sBotha^甑HDPsystemsandNovellusHDPsystemssharemorethan90%marketingIncreasethedensityofsidegasnozzlesforAMATHDPsystemcanimprovetheHDPwithinwaferthicknessuniformityChangethetopnozzlefromoneholeto4holenozzlealsoeffectthewithi
5、nwaferthicknessimprovementThedatashowthatwecanget3%levelHDPfilmwith45degree4holetopnozzleandthefilmuniformitywillbeimprovedto2%ifweuse30degree4holetopnozzleconfigurationForNovellusHDPsystem,Changethelengthofthegasnozzlec
6、animprovethewithinwaferthicknessuniformityduetotherearenotopnozzleinNovellusprocesschamberdesignThegasflowof02,theLFPoweralsorelatewiththeHDPuniformityWiththeoptimizedconditionwecanget35%HDPfilmusing4inchgasnozzleWecarlg
7、et32%filmifreplacethe4inchnozzlewith25inchgasnozzleWithoptimizedconditionfor25inchgasnozzleeven30%filmcanbeprocessedFinallywedrawtheconclusionofoptimizethewithinwaferuniformityforbothHDPsystems:ForAMATHDPsystem,increaset
8、hesidenozzlesfrom18to24,changetheoneholetopnozzleto4hole(30degreetype)topnozzlecanimprovethewithinwaferuniformityfrom55%to22%ForNovellussystemchangethelengthofgasnozzlefrom4inchto25inchandoptimizethegasflowof02f200seemto
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