GaAs光陰極制備自動(dòng)化技術(shù)研究.pdf

1、砷化鎵(GaAs)負(fù)電子親和勢(shì)(NEA)光電陰極具有光譜響應(yīng)范圍寬、靈敏度高、暗發(fā)射小、發(fā)射電子能量分布及角度分布集中、擴(kuò)展?jié)摿Υ蟮忍攸c(diǎn)，它和微通道板(MCP)、熒光屏及高壓電源構(gòu)成三代像增強(qiáng)器。這類(lèi)像增強(qiáng)器大大擴(kuò)展了夜視儀器的長(zhǎng)波閾，將儀器的視距提高了1.5～2倍，改善了觀察效果，并具有體積小、重量輕、線(xiàn)路簡(jiǎn)單、附屬設(shè)備少的特點(diǎn)，從而開(kāi)拓了微光夜視儀在遠(yuǎn)距離偵察、夜航和衛(wèi)星定位等方面的應(yīng)用。國(guó)內(nèi)對(duì)三代像增強(qiáng)器的研究起始于七十年代，始終

2、受到國(guó)家的大力支持，近幾年來(lái)取得了很大發(fā)展，但在靈敏度、穩(wěn)定性、噪聲、壽命等方面仍遠(yuǎn)落后于美國(guó)等先進(jìn)國(guó)家。光電陰極是三代像增強(qiáng)器性能的決定性因素之一，目前，國(guó)外生產(chǎn)的反射式NEA光電陰極的靈敏度一般均在2000μA/lm以上，最高可達(dá)3200μA/lm，透射式陰極的靈敏度也在1500μA/lm以上，高的可達(dá)2700 uA/lm，壽命一般超過(guò)7500小時(shí)，國(guó)內(nèi)制備的反射式陰極的靈敏度可以達(dá)到2000μA/lm，透射式陰極的靈敏度可以達(dá)到1