基于合成的SiO2納米球制備GaAs納米線陣列光陰極研究.pdf

1、砷化鎵（GaAs）納米線陣列結構因同時具有GaAs的基本性質和納米材料的優(yōu)良特性，使得制備出的負電子親和勢（NEA）光陰極有量子效率高、暗電流低等優(yōu)點。因而該材料成為最有前景的光電發(fā)射材料之一，在高性能電子源、光電倍增管、太陽能電池等領域有廣泛應用潛力。
　　本文利用GaAs納米線陣列光陰極的光電發(fā)射模型，針對入射光角度、納米線直徑、納米線高度、納米線的間距（即占空比D/P）等不同條件對GaAs納米線陣列光陰極光電流的影響進行仿真

2、。在仿真結果的基礎上采用膠體刻蝕法制備GaAs納米線陣列結構，并在制備過程中不斷改進實驗步驟，優(yōu)化工藝參數。
　　本文采用改進的Stober法合成直徑為350nm和500nm的SiO2納米球，用旋涂法將所合成的SiO2納米球制作掩模層，其實驗參數為使用轉速為600rpm勻膠機運行10s，再用轉速為1900rpm轉4s，得到的掩模層相對較為理想，最后用納米球掩模層對GaAs襯底進行刻蝕，以制備GaAs納米線陣列。利用SEM分析刻蝕時