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1、IrO2薄膜因具有良好的抗氧化性能、很強(qiáng)的催化活性以及很好的抗腐蝕性等,可廣泛應(yīng)用于電極材料、微電子、固態(tài)燃料電池和氣敏元件等許多領(lǐng)域。論文基于脈沖激光沉積(PLD)技術(shù),在Si(100)襯底上制備了IrO2薄膜。重點(diǎn)研究了氧分壓、襯底溫度、激光輸出能量、靶間距等PLD工藝參數(shù)和后續(xù)退火對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能的影響,以得到高質(zhì)量的IrO2薄膜。結(jié)果表明:各種工藝參數(shù)對(duì)于薄膜的物相和結(jié)構(gòu)影響很大,較低的氧分壓得不到純的多晶IrO2薄膜,而襯底溫度
2、、激光能量、襯底和靶之間的距離、退火溫度影響薄膜的取向和微觀形貌。通過(guò)對(duì)IrO2薄膜生長(zhǎng)條件的探索,找到了生長(zhǎng)高質(zhì)量I[rO2薄膜的優(yōu)化條件:氧分壓20Pa,襯底溫度500℃,激光能量140mJ,襯底和靶的距離50mm,退火溫度700~750℃。XRD、SEM和AFM等測(cè)試分析表明:在此條件下沉積的IrO2薄膜沿(101)取向生長(zhǎng),厚度均勻,界面清晰,與硅襯底表面結(jié)合良好,其表面粗糙度為3.9nm。利用四探針測(cè)試技術(shù)測(cè)得IrO2薄膜的室
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