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文檔簡介
1、Cd<,1-x>Mn<,x>Te晶體材料是一種稀釋磁性半導體材料(Diluted MagneticSemiconductors,簡稱DMS)。它是由于磁性過渡族金屬離子Mn<'2+>部分取代了Ⅱ-Ⅵ族化合物CdTe中的Ⅱ族非磁性陽離子Cd<'2+>而得到的。Cd<,1-x>Mn<,x>Te晶體材料具有特殊的磁學和磁光性質(zhì),可以用于磁場傳感器、光學隔離設備、法拉第旋轉(zhuǎn)器和高效太陽能電池等中。Cd<,1-x>Mn<,x>Te晶體還可以作為外
2、延生長:HgCdTe和HgZnTe的襯底材料。Cd<,1-x>Mn<,x>Te晶體被認為是一種良好的X射線和γ射線探測器材料,與其它常用的探測器材料相比,具有一定的優(yōu)勢。因此它具有廣泛的應用前景,這就使得Cd<,1-x>Mn<,x>Te 單晶的生長顯得尤為重要。 本文采用垂直布里奇曼法生長Cd<,1-x>Mn<,x>Te 晶體,通過精確控制晶體生長參數(shù),成功得到了單一相的Cd<,1-x>Mn<,x>Te 晶錠。采用不同的分析手
3、段研究了晶體的結(jié)晶質(zhì)量、成分分布、電學性能和光學性能。并通過缺陷腐蝕的方法,研究了Cd<,1-x>Mn<,x>Te晶體內(nèi)存在的位錯、孿晶、Te夾雜等微觀缺陷,并分析了缺陷的形成機理。 在Cd<,1-x>Mn<,x>Te晶體生長過程中,由于 Cd 的蒸氣壓較高,導致一部分Cd 揮發(fā),使晶體內(nèi)產(chǎn)生大量的 Cd 空位,從而降低了晶體的電阻率,影響了該材料作為探測器材料的應用。我們通過采用 In 摻雜的辦法來減小 Cd 空位所帶來的負
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