Cd-,1-x-Zn-,x-Te晶體生長工藝研究及退火摻雜.pdf

1、Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶體具有優(yōu)異的光電性能,是一種非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料.當(dāng)x=0.04時(shí),它是紅外探測器材料Hg<,1-y>Cd<,y>Te的理想外延襯底;當(dāng)x=0.05~0.2時(shí),它被用來制作高性能室溫X射線及γ射線探測器.同時(shí),也可用于光電調(diào)制器以及薄膜太陽能電池等.特別是采用高阻值Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te晶體制備的X射線及γ射線探測器具有低的漏電流和高的探測效率,能夠在室溫下穩(wěn)定工作,是最有前

2、途的探測器用材料.該文對和晶體生長密切相關(guān)的坩堝內(nèi)壁鍍膜工藝進(jìn)行了系統(tǒng)研究,制定出相應(yīng)的改進(jìn)措施,得到了適用于Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶體生長的高質(zhì)量碳膜.采用ACRT-Bridgman法生長出Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te及摻雜的Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te:In晶體,并測試了二者的成分分布及光學(xué)、電學(xué)性能,發(fā)現(xiàn)兩種晶錠中的成分分布差異不大,而后者的紅外透過率較低,電阻率較高.將退火與摻雜過程結(jié)合起來,根據(jù)多組分