ZnO：Al薄膜的制備與特性研究.pdf

1、本文首先對透明導(dǎo)電薄膜(TCO)的發(fā)展進行了總結(jié)，再對鋁摻雜氧化鋅薄膜(AZO)的國內(nèi)外進展作了介紹，并指出了透明導(dǎo)電薄膜的發(fā)展趨勢。在此基礎(chǔ)上，我們比較了目前AZO的各種制備方法，例如：蒸發(fā)法、濺射法、熱解噴涂法、化學(xué)氣相沉積法和分子束外延法，其中磁控濺射工藝具有沉積速率高、均勻性好等優(yōu)點而成為一種廣泛應(yīng)用的成膜方法。本研究使用射頻磁控濺射的方法，采用AZO(2wt.﹪Al2O3)陶瓷靶，在玻璃表面沉積了AZO薄膜，通過改變射頻功率和

2、電離氣體等參數(shù)，使薄膜出現(xiàn)了不同的形貌、結(jié)構(gòu)和不同的光學(xué)、電學(xué)性能，并使用電子探針顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、可見光區(qū)透射譜、四探針方法和Hall測試裝置對薄膜的結(jié)構(gòu)和性能進行了測試，得到了以下的結(jié)論： 1、隨著功率的提高，薄膜的厚度和生長速度都得到提高；結(jié)晶質(zhì)量的提高，使薄膜的電阻率ρ低達(dá)9.3×10-4Ω·cm，可見光區(qū)平均透過率T高達(dá)89﹪，這些參數(shù)已基本達(dá)到GaN激光器透明窗口電極的要求：ρ為10-4Ω·c