碳化硅襯底上氮化鎵薄膜材料及其發(fā)光器件特性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、該文首先討論了GaN材料基本性質(zhì),探討分析了利用MOCVD設(shè)備在SiC襯底001晶向生長(zhǎng)GaN單晶薄膜材料的工藝方法與控制條件.其次對(duì)薄膜材料表征技術(shù)如表面形貌分析、晶體結(jié)構(gòu)分析、材料元素分析、光學(xué)性能分析等技術(shù)進(jìn)行了研究,并深入分析了測(cè)試結(jié)果,綜合顯示GaN質(zhì)量較高,明顯優(yōu)于同等工藝水平下藍(lán)寶石襯底外延出的GaN薄膜材料;利用SEM圖象分析了表面出現(xiàn)的各種缺陷及可能的形成原因,XRD測(cè)試了外延生長(zhǎng)出的GaN單晶薄膜材料最小FWHM為1

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