2.5vcmos基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)_第1頁(yè)
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1、國(guó)內(nèi)圖書(shū)分類號(hào):TN432學(xué)校代碼:10213國(guó)際圖書(shū)分類號(hào):621.3.049.774密級(jí):公開(kāi)工程碩士學(xué)位論文2.5VCMOS基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)碩士研究生:侯音導(dǎo)師:譚曉昀教授申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:工程碩士學(xué)科、專業(yè):集成電路工程所在單位:微電子科學(xué)與技術(shù)系答辯日期:2010年6月授予學(xué)位單位:哈爾濱工業(yè)大學(xué)哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文摘要摘要基準(zhǔn)源是加速度計(jì)系統(tǒng)中的重要組成部分,隨著科技的發(fā)展,對(duì)加速度計(jì)的性能要求越來(lái)越高

2、,而基準(zhǔn)源的精度直接影響著加速度計(jì)的性能。因此,基于傳統(tǒng)帶隙電壓源的原理基礎(chǔ)上提出了一種適用于高精度微加速度計(jì)的基準(zhǔn)電壓源是很有必要的。本文概述了基準(zhǔn)電壓源的發(fā)展歷史,現(xiàn)狀和趨勢(shì)。闡述了CMOS集成基準(zhǔn)源的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn),指出了本課題的研究意義。通過(guò)對(duì)各種類型CMOS集成基準(zhǔn)電壓源的性能和特點(diǎn)的比較,確定選用理論最為成熟和性能最為穩(wěn)定的帶隙基準(zhǔn)源。通過(guò)對(duì)大量文獻(xiàn)中對(duì)溫度補(bǔ)償方法的分析,指出只有采用最簡(jiǎn)單的補(bǔ)償方法,一階分段線性補(bǔ)償方法,才能

3、大大提高輸出基準(zhǔn)電壓的精度。利用帶隙基準(zhǔn)原理設(shè)計(jì)獲得與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)電流,進(jìn)而獲得與溫度成正比的電壓值,同時(shí)對(duì)傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電路進(jìn)行了改進(jìn)設(shè)計(jì),采用自偏置結(jié)構(gòu)和鏡像電流鏡結(jié)構(gòu),利用運(yùn)放的輸出電壓作為運(yùn)放的偏置電壓,節(jié)省了偏置電路,降低了功耗。實(shí)現(xiàn)了低功耗和高電源抑制比的PTAT電流產(chǎn)生電路和CTAT電流產(chǎn)生電路。利用上面的PTAT電流和CTAT電流,合理設(shè)計(jì)電路獲得較小溫度系數(shù)。運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)采用兩級(jí)運(yùn)算放大器。在設(shè)計(jì)輸入級(jí)時(shí)

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