基于動(dòng)態(tài)閾值低功耗CMOS基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、低壓低功耗設(shè)計(jì)是集成電路設(shè)計(jì)的重要研究課題之一，本文對(duì)動(dòng)態(tài)閾值低功耗CMOS基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了深入的研究。 通過(guò)柵體互連實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)閾值MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(DTMOS)，采用Medici對(duì)其漏極輸出、載流子遷移率、亞閾值等特性進(jìn)行了仿真分析，證明它是實(shí)現(xiàn)電路低功耗的有效手段之一。 提出了基于動(dòng)態(tài)閾值的低功耗CMOS基準(zhǔn)電壓源電路。在基準(zhǔn)電壓源核心電路中，折疊運(yùn)算放大器和電流源采用了DTMOS，降低了電路的工作電壓和功耗；采用

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