20692.第五主族σhole贗πhole作用與鹵鍵作用之間的協(xié)同作用研究

1、中圖分類號(hào)：064UDC：540密級(jí)：公開學(xué)校代碼：10094訶4￡解茁丈孥碩士學(xué)位論文(學(xué)歷碩士)第五主族6一hole／贗兀hole作用與鹵鍵作用之間的協(xié)同作用研究StudiesontheCooperativeEffectsbetweenVAo—hole／Pseudo兀holeInteractionandHalogenbondingInteraction研究生姓名：李巍指導(dǎo)教師：曾艷麗教授鄭世鈞教授學(xué)科專業(yè)：物理化學(xué)研究方向：計(jì)算量子

2、化學(xué)論文開題日期：2013年10月15日摘要分子問的弱相互作用在分子識(shí)別、晶體工程、生物工程以及化學(xué)反應(yīng)機(jī)理等領(lǐng)域有著舉足輕重的地位。最近ohole作用、兀hole作用這類新型的分子間相互作用受到越來越多的關(guān)注。而這些應(yīng)用主要取決于弱相互作用的能量，因此我們最主要工作是增強(qiáng)弱相互作用的相互作用能，作者研究表明在鹵鍵和第五主族ohole相互作用以及贗兀一hole相互作用之問存在著協(xié)同作用。本論文中利用計(jì)算量子化學(xué)方法，電子密度拓?fù)浞治龇椒?/p>

3、以及分子生成密度差方法對(duì)分子間的相互作用進(jìn)行了深入的探究，討論了ohole作用、鹵鍵以及超分子化合物中的弱相互作用的本質(zhì)。所研究的復(fù)合物構(gòu)型、頻率以及相互作用能都是在Gaussian03以及Gaussian09程序上完成的，電子密度拓?fù)浞治鍪窃贏IMALL程序上完成的，靜電勢(shì)分析是在WFA程序上完成的，分子生成密度差(MFDD)以及原子核的靜電勢(shì)(％)是在Multiwfn程序上完成的，本論文分為以下幾部分進(jìn)行：1第一部分運(yùn)用MP2方法，

4、分子生成密度差(MFDD)方法研究在復(fù)合物NCFO=PX3(NCF)。(XF，Cl，BrH，CH3；n=0，1，2)中第五主族。一hole相互作用對(duì)FO鹵鍵的加強(qiáng)作用。FO鹵鍵的相互作用能隨著n的數(shù)值的增大而增強(qiáng)，表明了第五主族。一hole相互作用O=PX3NCF增強(qiáng)了F0鹵鍵的強(qiáng)度。復(fù)合物O=PX3(NCF)。(n=0，1，2)中氧原子外部的靜電勢(shì)隨著取代基x給電子能力的增強(qiáng)，靜電勢(shì)的極小值變的越來越負(fù)，增強(qiáng)了F0鹵鍵的強(qiáng)度。在形成F

5、O鹵鍵相互作用的過程中，O=PX3氧原子的孤對(duì)電子的靜電場(chǎng)按著X=FC1，BrH，CH3的順序變的更強(qiáng)，從而引起F原子外的電子密度更大程度的減小。另一方面，隨著n的取值從0到2逐漸增大，第五主族ahole相互作用的加入也增強(qiáng)了氧原子孤對(duì)電子的靜電場(chǎng)，引起F原子外的電子密度更大程度的減小。2磷的衍生物和X—CN(X=F，C1，Br)分子之間的第五主族ohole相互作用引起了人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。這部分工作中，在MP2／augCCpVDZ水平