22150.面向等離子體材料輻照缺陷的演化研究

1、分類號：密級：UDC：編號：面向等離子體材料輻照缺陷的演化研究Studyontheevolutionofirradiateddefectsintheplasmafacingmaterial學(xué)位授予單位及代碼：長春理工大學(xué)（10186）學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：物理電子學(xué)（077401）研究方向：光電子學(xué)與光電子技術(shù)申請學(xué)位級別：碩士指導(dǎo)教師：宋貴才教授研究生：李欣論文起止時間：2013.09—2014.12I摘要鉬(Mo)和鎢(W)材料作為可

2、控核聚變裝置中直接面向等離子體的重要候選材料被廣泛的研究，因此我們模擬鉬，鎢等第一壁候選材料在聚變產(chǎn)物下的輻照損傷物理機(jī)理，對磁約束聚變環(huán)形等離子體第一壁材料的抗輻射有非同尋常的幫助。為完成對鉬，鎢材料的離子輻照，我們設(shè)計了等離子體輻照實驗平臺。等離子體輻照實驗平臺的優(yōu)點是它能夠產(chǎn)生均勻而且高密度的等離子體。在此實驗平臺我們設(shè)計了低能大流強(qiáng)氦離子對鉬靶的輻照實驗和改變輻照溫度對鎢材料的表面損傷作用的兩個實驗。低能大流強(qiáng)氦離子對鉬靶的輻照

3、實驗采用低能（100eV），大流強(qiáng)(?1021ionsm2?s)He在600℃對鉬樣品進(jìn)行輻照實驗，考察了離子輻照劑量和退火溫度變化對鉬材料的表面損傷作用。我們使用日本公司生產(chǎn)掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscopeSEM)，以及無損傷的導(dǎo)電式原子力顯微鏡(ConductiveAtomicFceMicroscopyCAFM)檢測技術(shù)對輻照前后樣品的微觀形貌、微結(jié)構(gòu)演化以及內(nèi)表面缺陷分布等進(jìn)行了對比研究。對鎢材