1簡化模型下的通態(tài)特性

1、,,電力整流管,1）簡化模型下的通態(tài)特性,,,,（1）平衡pin,,,（2）正向偏置電壓下的pin,,,4 、PIN二極管通態(tài)特性,,,電力整流管,1）簡化模型下的通態(tài)特性,,,,（3）pin的正向特性,,,,,,,,,（忽略體壓降）,,,電力整流管,2） 通態(tài)特性的準確計算,基區(qū)體壓降 結(jié)壓降正向壓降 正向壓降的主要影響因素,內(nèi)容,,,,,電力整流管,基區(qū)體壓降VM求解思路,利用連續(xù)性方程求出基區(qū)的載流子濃度,,電流密度表達式,

2、I區(qū)電場表（E )表達式,VM的表達式,,,,,電力整流管,,,,,邊界條件：,,VM求解過程,,,電力整流管,VM求解過程,,,I區(qū)電場強度，對其積分可求得VM,,,電力整流管,,VM求解過程,VM式中，第一項為歐姆電壓降產(chǎn)生的電場分量;第二項為是電子和空穴遷移率不等產(chǎn)生的濃度分布不對稱形成的電場分量。,,,電力整流管,歐姆電壓降隨d/La的增加而迅速增大。 d≤La時，稱為“短”結(jié)構(gòu)PIN二極管。對于d≥3La的情況，則與上述相反

3、，稱為“長”結(jié)構(gòu)二極管。,,,,,,電力整流管,VPI+VNI求解,PN結(jié)結(jié)定律,,,,,,電力整流管,VF=?,,,d/La,F(d/La),,,電力整流管,3）VF的主要影響因素分析,當（d/La）的值為1時，通態(tài)壓降最小，當（d/La）超過3時，通態(tài)壓降迅速增加。少子壽命的增加可以降低體壓降，但載流子間的散射、俄歇復合及注入效率又影響著I區(qū)的電導調(diào)制效應。,,,電力整流管,4）降低二極管正向壓降的途徑,（1）控制基區(qū)寬度、提高少子