內(nèi)存條的分類及區(qū)別

1、內(nèi)存的分類在DRAM發(fā)展的過程中，先后出現(xiàn)了許多種內(nèi)存。1、FPMDRAMaFPMDRAM的全稱應該是FastPageModeDRAM，即快頁內(nèi)存。快頁內(nèi)存的刷新速度最高可以達到每秒600次，這對于早期286、386時代的應用軟件需求來說已經(jīng)足夠了?？祉搩?nèi)存為72線，5V電壓，帶寬為32bit，速度基本都在60ns以上，一般只能工作在533366MHz下，其原因就是由于FPM采用的是同一電路來讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)，因此，當FPM讀取的時候就

2、會產(chǎn)生一定的間隔，因此就限制了它讀寫速度的提高。FPM的存儲地址是按照頁的順序排列的，在訪問內(nèi)存中的某頁時會占用額外的CPU時鐘周期，造成系統(tǒng)閑置。由于這種種不足，F(xiàn)PM很快就被EDO內(nèi)存所代替了，目前在市場上已經(jīng)很難在尋覓到它的蹤影。2、EDODRAMaEDODRAM（ExtendedDataOutDRAM）的中文名稱是擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存。EDO內(nèi)存有72線和168線之分，采用5V電壓，外部帶寬為32bit。同F(xiàn)PM相比，EDO的速度可

3、以快15%以上，速度通常在40ns以上。EDO內(nèi)存取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸數(shù)據(jù)的兩個時鐘周期之間的間隔，因此當系統(tǒng)將數(shù)據(jù)發(fā)送到內(nèi)存的時候，速度得到了進一步的提升。EDO內(nèi)部設置了一個邏輯電路，憑借此電路，它可以在內(nèi)存數(shù)據(jù)讀取結(jié)束前將下一個數(shù)據(jù)讀入內(nèi)存，這在實際使用中的作用非常明顯。EDO內(nèi)存可以運行在75MHz甚至更高的頻率下，其標準的工作頻率為522266MHz。雖然目前EDO內(nèi)存已經(jīng)漸漸被市場所淘汰，但在一些486以及早期586

4、機器上仍然可以看見它們的身影。要注意的是，由于奔騰及其以上級別的數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit的，所以在使用中EDODRAM與FPMDRAM都必須雙條用，所以，在購買這類內(nèi)存的時候要成對購買。EDO內(nèi)存還被廣泛應用在TNT系列以前的顯示卡上。3dfx公司著名的VoodooVoodoo2顯卡采用的就是EDO顯存。3、SDRAMSDRAM（SynchronousDRAM）的中文名稱是同步動態(tài)存儲器，顧名思義，它是工作在與系統(tǒng)始終相同的頻率下的。

5、SDRAM是目前大部分的個人電腦所使用的內(nèi)存。SDRAM內(nèi)存對于數(shù)據(jù)的訪問采用突發(fā)（Burst）模式，從而得到更高的速度。SDRAM都是168線的帶寬64bit，并采用3.3V電壓。讓我們來看看SDRAM是如何工作的。眾所周知，我們所使用的DRAM存儲器，其技術都是建立在異步控制基礎上的，當系統(tǒng)使用這些異步DRAM的時候，它需要插入一些等待狀態(tài)來適應異步DRAM本身的速度需要，此時，指令的執(zhí)行速度由內(nèi)存的速度直接控制，而與系統(tǒng)本身的頻率

6、沒有任何干系。舉個簡單的例子，當速度為60納秒的快頁內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)的時候，它需要40納秒的時間來進行循環(huán)，此時，假設系統(tǒng)的工作頻率為100MHz，每執(zhí)行一次數(shù)據(jù)的存儲，就需要等待4個時鐘周期（一個時鐘周期的大小為10納秒），這很顯然導致了CPU的閑置，造成了系統(tǒng)浪費。當采用同步存儲后，這一循環(huán)過程就可以被避免，同時，SDRAM還可以在同一個時鐘周期內(nèi)打開兩個DRAM地址，這就允許系統(tǒng)在讀寫一個內(nèi)存地址時對下一個地址進行預置，因此，SDRA

7、M的速度基本上與系統(tǒng)時鐘頻率同步。因此，SDRAM的通常工作頻率可以達到5111，更快的可以達到4111的速度。此外，SDRAM是目前顯示卡上應用最廣泛的顯存之一，我們所使用的Voodoo3，TNT系列以及部分GeFce256顯示卡都使用的是SDRAM顯存。目前市場所賣的SDRAM大多為不帶ECC奇偶校驗的產(chǎn)品，不帶ECC的內(nèi)存對于家庭使用來說與ECC內(nèi)存基本沒有區(qū)別，而服務器對于系統(tǒng)的穩(wěn)定性要求很高：不允許數(shù)據(jù)出錯，通常會使用價格較貴

8、的ECC奇偶校驗內(nèi)存。在購買內(nèi)存的時候您也許會發(fā)現(xiàn)，有些品牌的內(nèi)存PCB板上最中間的那個位置是空的，這就是為ECC糾錯芯片所留的位置。通常情況下，帶有ECC的內(nèi)存價格較不帶ECC的要貴許多，因此在購買的時候要防范不法商販以次充好。隨著SDRAM技術的不斷發(fā)展，先后出現(xiàn)了PC66（66MHz），PC100以及PC133的內(nèi)存，Micron還將在近期內(nèi)推出PC150內(nèi)存。由于100MHz外頻的主板在市場上的占有率不斷擴大，最早的PC66內(nèi)存

9、由于無法在100MHz外頻下穩(wěn)定工作，已經(jīng)逐漸被淘汰，PC100和PC133內(nèi)存漸漸成為市場的主流。PC133內(nèi)存標準是由臺灣威盛公司指制定的內(nèi)存標準。目前市場上所賣的PC133內(nèi)存，質(zhì)量較好的當數(shù)勝創(chuàng)科技的KingMax內(nèi)存。KingMax一向以高品質(zhì)著稱，而且它所采用的先進的TinyBGA封裝方式，有別于目前其它PC100內(nèi)存（采用TSOP封裝）。采用TinyBGA封裝的內(nèi)存大小是TSOP封裝內(nèi)存的三分之一，也就是說，同等空間下Ti

10、nyBGA封裝可以將存儲容量提高三倍。此外，TinyBGA封裝內(nèi)存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，大大提高了內(nèi)存芯片在長時間運行后的可靠性，同時其線路阻抗大大減小，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。PC133內(nèi)存由于工作在133MHz的頻率下，所以帶寬較PC100內(nèi)存提高了將近30%，由于制造PC133內(nèi)存并不需要對原有的PC100內(nèi)存生產(chǎn)線進行很大的調(diào)整，因此，像現(xiàn)代電子、三星、勝創(chuàng)科技以及M