半導(dǎo)體ic工藝流程

1、《半導(dǎo)體半導(dǎo)體IC制造流程制造流程》一、晶圓處理制程一、晶圓處理制程晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件（如晶體管、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過(guò)程，以微處理器（Microprocess）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量（Particle）均需控制的無(wú)塵室（CleanRoom），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)

2、品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過(guò)其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沈積，最后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反復(fù)步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。二、晶圓針測(cè)制程二、晶圓針測(cè)制程經(jīng)過(guò)WaferFab之制程后，晶圓上即形成一格格的小格，我們稱之為晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的芯片，但是也有可能在同一片晶圓上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品；這些晶圓必須通過(guò)芯片

3、允收測(cè)試，晶粒將會(huì)一一經(jīng)過(guò)針測(cè)（Probe）儀器以測(cè)試其電氣特性，而不合格的的晶粒將會(huì)被標(biāo)上記號(hào)（InkDot），此程序即稱之為晶圓針測(cè)制程（WaferProbe）。然后晶圓將依晶粒為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒，接著晶粒將依其電氣特性分類（St）并分入不同的倉(cāng)（DieBank），而不合格的晶粒將于下一個(gè)制程中丟棄。三、三、IC構(gòu)裝制程構(gòu)裝制程IC構(gòu)裝制程（Packaging）則是利用塑料或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（Integrat

4、edCircuit；簡(jiǎn)稱IC），此制程的目的是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。最后整個(gè)集成電路的周圍會(huì)向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。四、測(cè)試制程四、測(cè)試制程半導(dǎo)體制造最后一個(gè)制程為測(cè)試，測(cè)試制程可分成初步測(cè)試與最終測(cè)試，其主要目的除了為保證顧客所要的貨無(wú)缺點(diǎn)外，也將依規(guī)格劃分IC的等級(jí)。在初步測(cè)試階段，包裝后的晶粒將會(huì)被置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，例如消耗功率、速度、

5、電壓容忍度等。測(cè)試后的IC將會(huì)將會(huì)依其電氣特性劃分等級(jí)而置入不同的Bin中（此過(guò)程稱之為BinSplits），最后因應(yīng)顧客之需求規(guī)格，于相對(duì)應(yīng)的Bin中取出部份IC做特殊的測(cè)試及燒機(jī)（BurnIn），此即為尾部成長(zhǎng)（尾部成長(zhǎng)（TailGrowth）當(dāng)晶體成長(zhǎng)到固定（需要）的長(zhǎng)度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應(yīng)力造成排差與滑移面現(xiàn)象。《晶柱切片后處理晶柱切片后處理》硅晶柱長(zhǎng)成后，整個(gè)晶圓的制作才到了一半，接下必

6、須將晶柱做裁切與檢測(cè)，裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理，最后才能成為一片片價(jià)值非凡的晶圓，以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。切片（切片（Slicing）長(zhǎng)久以來(lái)經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸，其鋸片是一環(huán)狀薄葉片，內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒，晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板，不僅有利于切片的夾持，更可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開晶棒所造的破裂。切片晶圓的厚度、弓形度（bow）及撓屈度（warp）等特性為制程管制要點(diǎn)。影響晶圓質(zhì)量的因素

7、除了切割機(jī)臺(tái)本身的穩(wěn)定度與設(shè)計(jì)外，鋸片的張力狀況及鉆石銳利度的保持都有很大的影響。圓邊（圓邊（EdgePolishing）剛切好的晶圓，其邊緣垂直于切割平面為銳利的直角，由于硅單晶硬脆的材料特性，此角極易崩裂，不但影響晶圓強(qiáng)度，更為制程中污染微粒的來(lái)源，且在后續(xù)的半導(dǎo)體制成中，未經(jīng)處理的晶圓邊緣也為影響光組與磊晶層之厚度，固須以計(jì)算機(jī)數(shù)值化機(jī)臺(tái)自動(dòng)修整切片晶圓的邊緣形狀與外徑尺寸。研磨（研磨（Lapping）研磨的目的在于除去切割或輪磨